Кристальное производство изделий
Полный цикл производства полупроводниковых микросхем в настоящее время составляет от 6 до 12 недель и включает сотни технологических операций.
Создание специализированных фабрик, осуществляющих контрактное производство, позволило существенно снизить стоимость электронных изделий. Автоматизация на производстве достигает высочайших уровней и в перспективе приведёт к полному исключению человека из производственного процесса.
В основе производства полупроводниковых приборов лежат следующие технологические операции:
- Получение и обработка полупроводниковых пластин
- Эпитаксиальное наращивание
- Сварка пластин
- Осаждение диэлектрических слоёв (CVD, ALD)
- Напыление материалов (PVD)
- Термическое окисление
- Литография
- Диффузия
- Ионная имплантация
- Жидкостное травление
- Реактивно-ионное травление
- Газофазное травление
- Плазменная обработка
- Химико-механическая полировка
- Гальваническое осаждение металлов
- Разделение пластин на кристаллы
Особые требования предъявляются к чистоте и качеству используемых материалов, которые определяют надёжность и функциональные возможности конечного изделия.
Основные материалы, используемые в производстве микросхем:
- Пластины из монокристаллического кремния, германия, арсенида галлия; структуры КНИ, эпитаксиальные структуры
- Абразивы для полировки пластин, полировальные суспензии
- Материалы для литографии: активаторы адгезии, антиотражающие покрытия, фото- и электронорезисты, проявители, сниматели
- Жидкостные травители, растворители
- Рабочие газы и жидкости для процессов CVD и ALD
- Мишени для осаждения